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Autor:
Nagler, Oliver 
Originaltitel:
Probing-induzierte Defekte bei Halbleitern mit Kontaktpads über aktiven Strukturen 
Übersetzter Titel:
Probing-induced Failures on Semiconductor Devices with Contact Pads over Active Circuitry 
Jahr:
2008 
Typ:
Dissertation 
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr.-Ing. 
Gutachter:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr.-Ing.; Baumgärtner, Hermann, Prof. Dr. 
Format:
PDF 
Sprache:
Deutsch 
Schlagworte:
Mikroelektronik ; Halbleiter ; Kontakt ; Einfluss 
Stichworte:
Probing, low-k, Scheibentest, Nadelkarte, Zuverlässigkeit, Riss, Halbleiter, Mechanik, Hertz, Druck, Weibull, FEM, Bruch, Oxid, Schichtverbund, Indentierung, Indenter, Härte, Kontakt, Pad, Bruchwahrscheinlichkeit. Material 
Übersetzte Stichworte:
Probing, low-k, wafertest, probecard, reliability, Probing-over-active-Area, semiconductor, IC, Weibull, FEA, fracture, mechanics, cracks, oxide, layer, stack, indentation, Hertz, pressure, hardness, contact, pad, material 
DDC-Notation:
621.38152 
Kurzfassung:
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde der Einfluss des mechanischen Kontaktes von Nadeln auf Pads, die über bruchempfindlichen Schichten von Halbleiter-Bauelementen angeordnet sind, untersucht. Getrieben durch den hohen Kostendruck schreitet die Miniaturisierung in der Halbleitertechnologie weiter fort. Dadurch bekommen Zuverlässigkeitsaspekte von mikroelektronischen Bauelementen wachsende Bedeutung. Um zusätzliche Chipfläche zu sparen, sind die Kontaktpads bei heutigen Chips oft direkt über d...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Within the scope of this work the influence of the mechanical contact of probes on pads placed over crack-sensitive layers of semiconductor components were evaluated. The miniaturization of semiconductor industry driven by high cost pressure is continuing resulting in more importance of reliability of microelectronic IC’s. In order to make chips smaller, contact pads of today’s IC’s are often placed on top of active circuitry area, called probing-over-active (POAA). To ensure the electrical spec...    »
 
Tag der mündlichen Prüfung:
09.12.2008 
Eingestellt am:
21.04.2009 
Ort:
Neubiberg 
Stadt (Autor):
Würzburg 
Vorname (Autor):
Oliver 
Nachname (Autor):
Nagler 
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