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Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Effect of localized helium ion irradiation on the performance of synthetic monolayer MoS2 field-effect transistors
Zeitschrift:
Beilstein Journal of Nanotechnology
Jahrgang:
11
Jahr:
2020
Seiten von - bis:
1329-1335
Sprache:
Englisch
ISSN:
2190-4286
URL zum Inhalt:
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Institut:
EIT 2 - Institut für Physik
Professur:
Düsberg, Georg S.
Open Access ja oder nein?:
Ja / Yes
Art der OA-Lizenz:
CC BY 4.0
URL zur Lizenz:
BibTeX
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