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Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Fringing Induced Drain Current Improvement in the Tunnel Field Effect Transistor With High-k Gate Dielectrics
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices
Jahrgang:
56
Heftnummer:
1
Jahr:
2009
Seiten von - bis:
100-108
Sprache:
Englisch
ISSN:
0018-9383 ; 1557-9646
URL zum Inhalt:
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institut:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Professur:
Sauter, Martin
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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