Die Integration von sehr vielen Detektorkanälen in Volumenanwendungen wie beispielsweise das Sortieren von Eisenerzen basierend auf einer Röntgenfluoreszenzanalyse erfordert eine drastische Miniaturisierung der Detektionseinheit.
Siliziumdriftdetektoren, welche hierfür zum Einsatz kommen, benötigen intern drei verschiedene HV-Versorgungsspannungen, weshalb sich durch die Integration der Spannungsversorgung in das Detektormodul eine erheblich kompaktere Bauform erzielen lässt. Darüber hinaus können auf diese Weise auch Einstreuungen über die bisher notwendige Verkabelung vermieden werden.
Im Rahmen des Projektes soll ein monolithisch integrierter Gleichspannungswandler entwickelt werden, der ausreichend rauscharm ist, um den Betrieb von hochempfindlichen Strahlungsdetektoren zu ermöglichen. Zugleich soll eine stabile und zuverlässige HV-Generation bis 200V auf dem CMOS-Chip möglich sein, um den Detektorbetrieb im industriellen Umfeld zu gewährleisten.
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Siliziumdriftdetektoren, welche hierfür zum Einsatz kommen, benötigen intern drei verschiedene HV-Versorgungsspannungen, weshalb sich durch die Integration der Spannungsversorgung in das Detektormodul eine erheblich kompaktere Bauform erzielen lässt. Darüber hinaus kön...
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