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Autoren:
Uedono, Akira; Shojiki, Kanako; Uesugi, Kenjiro; Chichibu, Shigefusa F.; Ishibashi, Shoji; Dickmann, Marcel; Egger, Werner; Hugenschmidt, Christoph; Miyake, Hideto 
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article 
Titel:
Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams 
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics 
Jahrgang:
128 
Heftnummer:
Jahr:
2020 
Seiten von - bis:
085704 
Sprache:
Englisch 
Article-ID:
085704 
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik 
Institut:
LRT 2 - Institut für Angewandte Physik und Messtechnik 
Professur:
Dollinger, Günther 
Open Access ja oder nein?:
Nein / No