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Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Acceptor depletion in p-type porous silicon
Zeitschrift:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Jahrgang:
168
Heftnummer:
1
Jahr:
1998
Seiten von - bis:
R1-R2
Sprache:
Englisch
Stichwörter:
Atoms ; Boron ; Carbon ; Crystals ; Doping (additives) ; Etching ; Fluorine ; Hydrogen ; Oxygen ; Passivation ; Porosity ; Surfaces, Acceptor depletion ; Anodic etching ; Elastic recoil detection ; Volume to surface ratio, Porous silicon
ISSN:
0031-8965
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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